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1-什么是硅基氮化镓（GaN-on-silicon）？
氮化镓(GaN)是一种坚硬，且机械稳定的宽带隙的半导体。基于氮化镓的功率器件具有更高的击穿强度,更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电阻,其性能明显优于硅基器件。
氮化镓晶体可以在各种的基板上生长,包括蓝宝石,碳化硅(SiC)和硅(Si)。在硅上面生长氮化镓的外延层,可以使用现有的硅制造基础设施,从而消除了对高昂的特定的生产场所的需求,并以低成本利用现成的大直径硅晶片。
GaN on Silicon技术将氮化镓（GaN）的高效能与硅（Si）的广泛应用和成熟制造技术相结合，为电力电子和射频应用提供了高性能的解决方案。
2- 氮化镓的应用和市场前景怎么样？
随着5G通信、电动汽车和可再生能源等领域的快速发展，GaN on Silicon技术市场预计将持续增长。
3-易芯对氮化镓衬底的销售过程？
易芯经过前期送样以及和客户对接，目前已成功进入英国P ***澳门博彩官方网站平台氮化镓衬底合格供应商目录。
简要参数如下图，任何需求可直接联系易芯销售部门。
CZ Si
Orientation: <111>
Diameter: 6” and 8" and 12"
Type: P
Resistivity: 0.005-0.02 Ohm.cm
Thickness: 1000/1150um
- 上一个：12英寸以上芯片级单晶硅棒
- 下一个：12英寸芯片级单晶硅片